Radiation Effects in Semiconductors and Semiconductor Devices Introduction The monograph provides an overview of the latest research findings on the nature of the effects arising in semiconductors and semiconductor devices under the influence of ionizing radiation. It is a pressing issue in the development of new technologies, as the ability to create devices that can operate for extended periods in radiation environments is crucial for various applications, such as space exploration and nuclear power plants. This book is essential reading for a broad range of specialists in semiconductor technology, radio electronics, and radiation solid-state physics. Chapter 1: Introduction to Radiation Effects in Semiconductors This chapter delves into the fundamental principles of radiation effects in semiconductors, including the types of radiation and their interaction with matter. It discusses the importance of understanding these effects in the context of modern technology and highlights the need for further research to develop durable semiconductor devices. Chapter 2: Radiation-Induced Defects in Semiconductors In this chapter, we explore the formation of defects in semiconductors due to ionizing radiation. We examine the different types of defects, such as vacancies, interstitials, and radiation-induced defects, and their impact on device performance. The chapter also covers the various methods used to detect and quantify defects. Chapter 3: Radiation Effects on Semiconductor Crystal Structure Here, we discuss how radiation affects the crystal structure of semiconductors, leading to changes in the material's electrical properties. We analyze the role of defects in altering the crystal structure and the resulting effects on device behavior. Chapter 4: Radiation-Induced Dopant Activation This chapter focuses on the activation of dopants in semiconductors under radiation exposure.

Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых устройствах Введение В монографии представлен обзор последних результатов исследований природы эффектов, возникающих в полупроводниках и полупроводниковых устройствах под воздействием ионизирующего излучения. Это насущная проблема при разработке новых технологий, поскольку возможность создания устройств, которые могут работать в течение длительных периодов в радиационной среде, имеет решающее значение для различных применений, таких как исследование космоса и атомные электростанции. Эта книга является важным чтением для широкого круга специалистов в области полупроводниковой техники, радиоэлектроники и радиационной физики твердого тела. Глава 1: Введение в радиационные эффекты в полупроводниках В этой главе рассматриваются фундаментальные принципы радиационных эффектов в полупроводниках, включая типы излучения и их взаимодействие с веществом. В нем обсуждается важность понимания этих эффектов в контексте современных технологий и подчеркивается необходимость дальнейших исследований по разработке долговечных полупроводниковых устройств. Глава 2: Радиационно-индуцированные дефекты в полупроводниках В этой главе мы исследуем образование дефектов в полупроводниках из-за ионизирующего излучения. Мы исследуем различные типы дефектов, такие как вакансии, интерстиции и радиационные дефекты, и их влияние на производительность устройства. В этой главе также рассматриваются различные методы, используемые для обнаружения и количественной оценки дефектов. Глава 3: Радиационное воздействие на кристаллическую структуру полупроводника Здесь мы обсуждаем, как излучение влияет на кристаллическую структуру полупроводников, что приводит к изменениям электрических свойств материала. Мы анализируем роль дефектов в изменении кристаллической структуры и результирующее влияние на поведение устройства. Глава 4: Радиационно-индуцированная активация допанта В этой главе основное внимание уделяется активации допантов в полупроводниках при радиационном воздействии.

Strahlungseffekte in Halbleitern und Halbleiterbauelementen Einleitung Die Monographie gibt einen Überblick über die neuesten Forschungsergebnisse zur Art der Effekte, die in Halbleitern und Halbleiterbauelementen unter dem Einfluss ionisierender Strahlung auftreten. Dies ist ein dringendes Problem bei der Entwicklung neuer Technologien, da die Fähigkeit, Geräte zu bauen, die für lange Zeiträume in einer Strahlungsumgebung arbeiten können, für verschiedene Anwendungen wie Weltraumforschung und Kernkraftwerke von entscheidender Bedeutung ist. Dieses Buch ist eine wichtige ktüre für ein breites Spektrum von Fachleuten auf dem Gebiet der Halbleitertechnik, der Radioelektronik und der Strahlenphysik von Festkörpern. Kapitel 1: Einführung in Strahlungseffekte in Halbleitern Dieses Kapitel behandelt die grundlegenden Prinzipien von Strahlungseffekten in Halbleitern, einschließlich der Strahlungsarten und ihrer Wechselwirkung mit Materie. Er diskutiert die Bedeutung des Verständnisses dieser Effekte im Kontext moderner Technologien und betont die Notwendigkeit weiterer Forschung zur Entwicklung langlebiger Halbleiterbauelemente. Kapitel 2: Strahlungsinduzierte Defekte in Halbleitern In diesem Kapitel untersuchen wir die Defektbildung in Halbleitern durch ionisierende Strahlung. Wir untersuchen verschiedene Arten von Defekten wie erstellen, Interstitien und Strahlungsdefekte und deren Auswirkungen auf die Geräteleistung. Dieses Kapitel befasst sich auch mit den verschiedenen Methoden zur Erkennung und Quantifizierung von Defekten. Kapitel 3: Strahlungseinwirkung auf die Kristallstruktur eines Halbleiters Hier diskutieren wir, wie Strahlung die Kristallstruktur von Halbleitern beeinflusst, was zu Veränderungen der elektrischen Eigenschaften des Materials führt. Wir analysieren die Rolle von Defekten bei der Veränderung der Kristallstruktur und den daraus resultierenden Einfluss auf das Geräteverhalten. Kapitel 4: Strahlungsinduzierte Dotierstoffaktivierung Dieses Kapitel konzentriert sich auf die Dotierstoffaktivierung in Halbleitern unter Strahlenexposition.

''

تأثيرات الإشعاع في أشباه الموصلات وأشباه الموصلات مقدمة تقدم الدراسة لمحة عامة عن أحدث الأبحاث حول طبيعة التأثيرات الناشئة في أشباه الموصلات وأشباه الموصلات تحت تأثير الإشعاع المؤين. هذه قضية ملحة في تطوير التقنيات الجديدة، حيث أن القدرة على إنشاء أجهزة يمكن أن تعمل لفترات طويلة في بيئة إشعاعية أمر بالغ الأهمية لمختلف التطبيقات مثل استكشاف الفضاء ومحطات الطاقة النووية. يعد هذا الكتاب قراءة مهمة لمجموعة واسعة من المتخصصين في هندسة أشباه الموصلات والإلكترونيات الراديوية وفيزياء الحالة الصلبة للإشعاع. يبحث هذا الفصل المبادئ الأساسية لتأثيرات الإشعاع في أشباه الموصلات، بما في ذلك أنواع الإشعاع وتفاعلها مع المادة. يناقش أهمية فهم هذه التأثيرات في سياق التكنولوجيا الحالية ويسلط الضوء على الحاجة إلى مزيد من البحث لتطوير أجهزة أشباه موصلات متينة. الفصل 2: العيوب الناجمة عن الإشعاع في أشباه الموصلات في هذا الفصل، نفحص تكوين العيوب في أشباه الموصلات بسبب الإشعاع المؤين. نحن نحقق في أنواع مختلفة من العيوب، مثل الوظائف الشاغرة وعيوب البينتشيوم والإشعاع وتأثيرها على أداء الجهاز. يناقش هذا الفصل أيضًا الطرق المختلفة المستخدمة لاكتشاف العيوب وتقديرها. الفصل 3: التأثيرات الإشعاعية على البنية البلورية لأشباه الموصلات هنا، نناقش كيف يؤثر الإشعاع على البنية البلورية لأشباه الموصلات، مما يؤدي إلى تغيرات في الخصائص الكهربائية للمادة. نحلل دور العيوب في تغيير البنية البلورية والتأثير الناتج على سلوك الجهاز. الفصل 4: تنشيط المنشطات الناجم عن الإشعاع يركز هذا الفصل على تنشيط المنشطات في أشباه الموصلات تحت التعرض للإشعاع.